高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。
SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、製品仕様の決定のための信頼性評価技術・歩留まり向上技術の体制確立が急務の為、それに伴う人材の強化を進めています。 現社員は大手半導体メーカー（TI/ ON Semiconductor/ 日立/ 三菱電機/ ルネサス/ ローム等で）20～30年以上の経験を持つメンバーで構成されております。2022年よりGaN Projectがスタートしています。
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UNIT: TNJ
お薦めポイント
超急募/未経験OK・歓迎/ブランクOK/既卒・第2新卒OK/正社員登用あり/OA不要/ママさん活躍/ミドル・シニア活躍/10時～/残業なし/残業10時間以内/人気のゲーム・WEB・エンタメ企業/ファッション業界/芸能・音楽/官公庁関連/駅から徒歩5分以内/服装自由/電話対応なし/上場企業
活かせる経験・スキル
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の【1】～【4】いずれか経験がある方 ※経験者のみ募集 ※英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
【1】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 【2】ファウンドリーでのデバイス試作経験 【3】デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 【4】パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
募集人数
雇用形態
勤務地詳細
京都市西京区 御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203号室
勤務曜日・休暇
勤務曜日：月、火、水、木、金
福利厚生
【有給休暇】有（10日～）
【退職金】無
【社会保険】健康保険 厚生年金保険 雇用保険 労災保険
応募資格
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の【1】～【4】いずれか経験がある方 ※経験者のみ募集 ※英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
【1】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 【2】ファウンドリーでのデバイス試作経験 【3】デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 【4】パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
日本語レベル
中国語レベル
大手半導体メーカーでパワー半導体デバイス・モジュールの研究開発経験のあるエキスパートメンバーで構成されています。
TENJeeを運営する株式会社フェローシップは、一般社団法人日本青少年育成協会／HSK日本実施委員会の会員です。