高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発
をお任せします。SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制を強化するための採用です。
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UNIT: TNJ
お薦めポイント
大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で20～30年以上の経験を持つメンバーで構成されております。
活かせる経験・スキル
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の【1】～【4】いずれか経験がある方 ※経験者のみ募集
【1】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 【2】ファウウンドリーでのデバイス試作経験 【3】デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 【4】パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験【尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
募集人数
雇用形態
勤務地詳細
京都市西京区 御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203号室
勤務曜日・休暇
勤務曜日：月、火、水、木、金
応募資格
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の【1】～【4】いずれか経験がある方 ※経験者のみ募集
【1】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 【2】ファウウンドリーでのデバイス試作経験 【3】デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 【4】パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験【尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
日本語レベル
中国語レベル
大手半導体メーカーでパワー半導体デバイス・モジュールの研究開発経験のあるエキスパートメンバーで構成されています。
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