高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。
SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けデバイス試作（パッケージ/モジュール）を強化するための採用です。 また2022年からはGaN Projectもスタートし各々のWide Band Gap材料による特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行っていく。
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UNIT: TNJ
お薦めポイント
超急募/未経験OK・歓迎/ブランクOK/既卒・第2新卒OK/正社員登用あり/OA不要/ママさん活躍/ミドル・シニア活躍/10時～/残業なし/残業10時間以内/人気のゲーム・WEB・エンタメ企業/ファッション業界/芸能・音楽/官公庁関連/駅から徒歩5分以内/服装自由/電話対応なし/上場企業
活かせる経験・スキル
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の【1】～【4】いずれか経験がある方 ※経験者のみ募集
【1】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 【2】ファウウンドリーでのデバイス試作経験 【3】デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 【4】パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験【尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
募集人数
雇用形態
勤務地詳細
西京区 御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203号室
勤務曜日・休暇
勤務曜日：月、火、水、木、金
応募資格
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の【1】～【4】いずれか経験がある方 ※経験者のみ募集
【1】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 【2】ファウウンドリーでのデバイス試作経験 【3】デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 【4】パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験【尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
日本語レベル
中国語レベル
英語レベル
大手半導体メーカーでパワー半導体デバイス・モジュールの研究開発経験のあるエキスパートメンバーで構成されています。
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